TK56E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK56E12N1,S1X
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Especificaciones:	TK56E12N1,S1X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	61799 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 61799 pcs

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Especificaciones de TK56E12N1,S1X

Número de pieza	TK56E12N1,S1X	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N CH 120V 56A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	61799 pcs	Ficha de datos	TK56E12N1,S1X.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	U-MOSVIII-H	RDS (Max) @Id, Vgs	7 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo)	168W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	TK56E12N1,S1X(S TK56E12N1S1X
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 60V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	69nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	120V
Descripción detallada	N-Channel 120V 56A (Ta) 168W (Tc) Through Hole TO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	56A (Ta)

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