TK380A60Y,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK380A60Y,S4X
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Especificaciones:	TK380A60Y,S4X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	92503 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 92503 pcs

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Especificaciones de TK380A60Y,S4X

Número de pieza	TK380A60Y,S4X	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	92503 pcs	Ficha de datos	TK380A60Y,S4X.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 360µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220SIS
Serie	DTMOSV	RDS (Max) @Id, Vgs	380 mOhm @ 4.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	TK380A60Y,S4X(S TK380A60YS4X TK380A60YS4X(S
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 9.7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Tc)

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