TK12J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	TK12J60U(F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
Especificaciones:	1.TK12J60U(F).pdf 2.TK12J60U(F).pdf 3.TK12J60U(F).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	43358 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43358 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.687

50 pcs: $1.357

100 pcs: $1.236

500 pcs: $1.001

1000 pcs: $0.844

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Especificaciones de TK12J60U(F)

Número de pieza	TK12J60U(F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	43358 pcs	Ficha de datos	1.TK12J60U(F).pdf 2.TK12J60U(F).pdf 3.TK12J60U(F).pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-3P(N)
Serie	DTMOSII	RDS (Max) @Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	144W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-3P-3, SC-65-3	Otros nombres	TK12J60U(F)-ND TK12J60UF
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 12A (Ta) 144W (Tc) Through Hole TO-3P(N)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

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