SSM5N15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM5N15FU,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
Especificaciones:	SSM5N15FU,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	708431 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 708431 pcs

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Especificaciones de SSM5N15FU,LF

Número de pieza	SSM5N15FU,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 30V 0.1A USV	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	708431 pcs	Ficha de datos	SSM5N15FU,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	USV
Serie	π-MOSVI	RDS (Max) @Id, Vgs	4 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)	200mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	Otros nombres	SSM5N15FU (TE85L,F) SSM5N15FU (TE85LF) SSM5N15FU(TE85L,F) SSM5N15FU(TE85LF)TR SSM5N15FU(TE85LF)TR-ND SSM5N15FULFTR SSM5N15FUTE85LF
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.8pF @ 3V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

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