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Toshiba Semiconductor and Storage
| Número de pieza | SSM3K7002BS,LF | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 200MA SMD | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4440 pcs | Ficha de datos | 1.SSM3K7002BS,LF.pdf2.SSM3K7002BS,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | S-Mini |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 200mW (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | SSM3K7002BF(T5LF)CT SSM3K7002BF(T5LF)CT-ND SSM3K7002BSLF(DCT SSM3K7002BSLF(DCT-ND SSM3K7002BSLFCT SSM3K7002F(TE85LFCT SSM3K7002F(TE85LFCT-ND SSM3K7002FCT SSM3K7002FCT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount S-Mini |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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