SSM3K35MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM3K35MFV(TPL3)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
Especificaciones:	1.SSM3K35MFV(TPL3).pdf 2.SSM3K35MFV(TPL3).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4524 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4524 pcs

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Especificaciones de SSM3K35MFV(TPL3)

Número de pieza	SSM3K35MFV(TPL3)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4524 pcs	Ficha de datos	1.SSM3K35MFV(TPL3).pdf 2.SSM3K35MFV(TPL3).pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	VESM
Serie	π-MOSVI	RDS (Max) @Id, Vgs	3 Ohm @ 50mA, 4V
La disipación de energía (máximo)	150mW (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SOT-723	Otros nombres	SSM3K35MFV(TPL3)DKR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 3V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	N-Channel 20V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	180mA (Ta)

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