SSM3K341R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	SSM3K341R,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Especificaciones:	SSM3K341R,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	321128 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 321128 pcs

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Especificaciones de SSM3K341R,LF

Número de pieza	SSM3K341R,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	321128 pcs	Ficha de datos	SSM3K341R,LF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23F
Serie	U-MOSVIII-H	RDS (Max) @Id, Vgs	36 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.2W (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SOT-23-3 Flat Leads	Otros nombres	SSM3K341RLFDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-23F	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

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