Número de pieza | RN4983FE,LF(CB | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descripción | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 2408833 pcs | Ficha de datos | RN4983FE,LF(CB.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | ES6 |
Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms | Potencia - Max | 100mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
Otros nombres | RN4983FE(T5L,F,T) RN4983FE(T5LFT)TR RN4983FE(T5LFT)TR-ND RN4983FE,LF(CT RN4983FELF(CBTR RN4983FELF(CTTR RN4983FELF(CTTR-ND |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 250MHz |
Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Corriente - corte del colector (Max) | 100nA (ICBO) | Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
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