RN2422TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN2422TE85LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Especificaciones:	RN2422TE85LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	679038 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 679038 pcs

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Especificaciones de RN2422TE85LF

Número de pieza	RN2422TE85LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	679038 pcs	Ficha de datos	RN2422TE85LF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 50mA
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	S-Mini
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	2.2 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potencia - Max	200mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres	RN2422(TE85L,F)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	200MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	65 @ 100mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)	500nA	Corriente - colector (Ic) (Max)	800mA

Modo de transporte
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