RN2301,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN2301,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Especificaciones:	RN2301,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3822465 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3822465 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.012

6000 pcs: $0.01

15000 pcs: $0.009

30000 pcs: $0.008

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150000 pcs: $0.006

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Especificaciones de RN2301,LF

Número de pieza	RN2301,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3822465 pcs	Ficha de datos	RN2301,LF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	USM
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potencia - Max	100mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	SC-70, SOT-323
Otros nombres	RN2301(TE85L,F) RN2301(TE85LF) RN2301(TE85LF)-ND RN2301(TE85LF)TR RN2301(TE85LF)TR-ND RN2301,LF(B RN2301,LF(T RN2301LFTR RN2301TE85LF	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	200MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	500nA	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA
Número de pieza base	RN230*

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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