RN1901FETE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN1901FETE85LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Especificaciones:	RN1901FETE85LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	208034 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 208034 pcs

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Especificaciones de RN1901FETE85LF

Número de pieza	RN1901FETE85LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	208034 pcs	Ficha de datos	RN1901FETE85LF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Paquete del dispositivo	ES6
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potencia - Max	100mW
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	SOT-563, SOT-666
Otros nombres	RN1901FETE85LFCT	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	250MHz	Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V	Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA

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