RN1401,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN1401,LF
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Especificaciones:	RN1401,LF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3028201 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3028201 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.014

6000 pcs: $0.012

15000 pcs: $0.01

30000 pcs: $0.01

75000 pcs: $0.009

150000 pcs: $0.008

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Especificaciones de RN1401,LF

Número de pieza	RN1401,LF	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3028201 pcs	Ficha de datos	RN1401,LF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	S-Mini
Serie	-	Resistor - Base del emisor (R2)	4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potencia - Max	200mW
embalaje	Tape & Reel (TR)	Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres	ASRN1401,LF RN1401,LF(B RN1401,LF(T RN1401LFTR RN1401S,LF RN1401SLF RN1401SLFTR RN1401SLFTR-ND	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	250MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	500nA	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA
Número de pieza base	RN140*

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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