CUS08F30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	CUS08F30,H3F
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Especificaciones:	CUS08F30,H3F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1673399 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1673399 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.021

6000 pcs: $0.018

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Especificaciones de CUS08F30,H3F

Número de pieza	CUS08F30,H3F	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1673399 pcs	Ficha de datos	CUS08F30,H3F.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	220mV @ 10mA	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	30V
Paquete del dispositivo	USC	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-76, SOD-323	Otros nombres	CUS08F30,H3F(B CUS08F30,H3F(T CUS08F30H3FTR
Temperatura de funcionamiento - Junction	125°C (Max)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Schottky
Descripción detallada	Diode Schottky 30V 800mA Surface Mount USC	Corriente - Fuga inversa a Vr	50µA @ 30V
Corriente - rectificada media (Io)	800mA	Capacitancia Vr, F	170pF @ 0V, 1MHz

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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