CUS02(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	CUS02(TE85L,Q,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT
Especificaciones:	CUS02(TE85L,Q,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5637 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5637 pcs

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Especificaciones de CUS02(TE85L,Q,M)

Número de pieza	CUS02(TE85L,Q,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5637 pcs	Ficha de datos	CUS02(TE85L,Q,M).pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	470mV @ 1A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	30V
Paquete del dispositivo	US-FLAT (1.25x2.5)	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-76, SOD-323	Otros nombres	CUS02(TE85L,Q) CUS02(TE85L,Q)-ND CUS02(TE85LQM)
Temperatura de funcionamiento - Junction	-40°C ~ 150°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Schottky	Descripción detallada	Diode Schottky 30V 1A Surface Mount US-FLAT (1.25x2.5)
Corriente - Fuga inversa a Vr	100µA @ 30V	Corriente - rectificada media (Io)	1A
Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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