CRG04(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	CRG04(TE85L,Q,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT
Especificaciones:	CRG04(TE85L,Q,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	687724 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 687724 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.034

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Especificaciones de CRG04(TE85L,Q,M)

Número de pieza	CRG04(TE85L,Q,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	687724 pcs	Ficha de datos	CRG04(TE85L,Q,M).pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.1V @ 1A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	600V
Paquete del dispositivo	S-FLAT (1.6x3.5)	Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOD-123F	Otros nombres	CRG04(TE85L,Q) CRG04(TE85L,Q)-ND CRG04(TE85LQM)
Temperatura de funcionamiento - Junction	-40°C ~ 150°C	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Standard
Descripción detallada	Diode Standard 600V 1A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)	Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)	1A	Capacitancia Vr, F	-

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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