CMH08A(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	CMH08A(TE12L,Q,M)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT
Especificaciones:	CMH08A(TE12L,Q,M).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	206636 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 206636 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.285

10 pcs: $0.249

100 pcs: $0.192

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Especificaciones de CMH08A(TE12L,Q,M)

Número de pieza	CMH08A(TE12L,Q,M)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	DIODE GEN PURP 400V 2A MFLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	206636 pcs	Ficha de datos	CMH08A(TE12L,Q,M).pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.8V @ 2A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	400V
Paquete del dispositivo	M-FLAT (2.4x3.8)	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	35ns
embalaje	Original-Reel®	Paquete / Cubierta	SOD-128
Otros nombres	CMH08A(TE12LQ)DKR CMH08A(TE12LQ)DKR-ND CMH08A(TE12LQM)DKR	Temperatura de funcionamiento - Junction	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard	Descripción detallada	Diode Standard 400V 2A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Corriente - Fuga inversa a Vr	10µA @ 400V	Corriente - rectificada media (Io)	2A
Capacitancia Vr, F	-	Número de pieza base	CMH08

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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