| Número de pieza | 2SK4017(Q) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5965 pcs | Ficha de datos | 1.2SK4017(Q).pdf2.2SK4017(Q).pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PW-MOLD2 |
| Serie | U-MOSIII | RDS (Max) @Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 20W (Tc) | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-251-3 Stub Leads, IPak | Otros nombres | 2SK4017(Q)-ND 2SK4017Q Q11923257 |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Tc) Through Hole PW-MOLD2 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
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|---|---|---|
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