2SC5201(T6MURATAFM

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	2SC5201(T6MURATAFM
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
Especificaciones:	2SC5201(T6MURATAFM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5058 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5058 pcs

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Especificaciones de 2SC5201(T6MURATAFM

Número de pieza	2SC5201(T6MURATAFM	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS NPN 50MA 600V TO226-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5058 pcs	Ficha de datos	2SC5201(T6MURATAFM.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	600V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1V @ 500mA, 20mA
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	TO-92MOD
Serie	-	Potencia - Max	900mW
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Otros nombres	2SC5201T6MURATAFM	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	-
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 20mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	1µA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	50mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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