2SB906-Y(TE16L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	2SB906-Y(TE16L1,NQ
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Especificaciones:	2SB906-Y(TE16L1,NQ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	75103 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75103 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.432

10 pcs: $0.382

25 pcs: $0.345

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Especificaciones de 2SB906-Y(TE16L1,NQ

Número de pieza	2SB906-Y(TE16L1,NQ	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	75103 pcs	Ficha de datos	2SB906-Y(TE16L1,NQ.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	60V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	1.7V @ 300mA, 3A
Tipo de transistor	PNP	Paquete del dispositivo	PW-MOLD
Serie	-	Potencia - Max	1W
embalaje	Cut Tape (CT)	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	2SB906-Y(Q) 2SB906-Y(Q)-ND 2SB906-Y(TE16L1,NQ) 2SB906-Y(TE16L1,NQCT 2SB906-Y(TE16L1NQ) 2SB906-Y(TE16L1NQ)-ND 2SB906-Y(TE16L1NQ-ND 2SB906-Y(TE16L1NQCT 2SB906Y(TE16L1NQ 2SB906Y(TE16L1NQ-ND 2SB906YTE16L1NQ	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	9MHz
Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 1W Surface Mount PW-MOLD	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	100µA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	3A

Modo de transporte
Después de las ventas
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