TSM80N950CP ROG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM80N950CP ROG
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
Especificaciones:	TSM80N950CP ROG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66629 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66629 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.693

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Especificaciones de TSM80N950CP ROG

Número de pieza	TSM80N950CP ROG	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66629 pcs	Ficha de datos	TSM80N950CP ROG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252, (D-Pak)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	950 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	110W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	TSM80N950CP ROGDKR TSM80N950CP ROGDKR-ND TSM80N950CPROGDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	691pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	19.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

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