TSM6NB60CI C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM6NB60CI C0G
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A ITO220
Especificaciones:	TSM6NB60CI C0G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	97912 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 97912 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de TSM6NB60CI C0G

Número de pieza	TSM6NB60CI C0G	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A ITO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	97912 pcs	Ficha de datos	TSM6NB60CI C0G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ITO-220
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Otros nombres	TSM6NB60CI C0G-ND TSM6NB60CIC0G
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	872pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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