TSM340N06CH X0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM340N06CH X0G
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251
Especificaciones:	TSM340N06CH X0G.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	220000 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 220000 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.263

10 pcs: $0.222

100 pcs: $0.166

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Especificaciones de TSM340N06CH X0G

Número de pieza	TSM340N06CH X0G	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	220000 pcs	Ficha de datos	TSM340N06CH X0G.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-251 (IPAK)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	34 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	66W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Stub Leads, IPak	Otros nombres	TSM340N06CH X0G-ND TSM340N06CHX0G
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 30A (Tc) 66W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

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