| Número de pieza | TSM200N03DPQ33 RGG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 280844 pcs | Ficha de datos | TSM200N03DPQ33 RGG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-PDFN (3x3) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Potencia - Max | 20W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN | Otros nombres | TSM200N03DPQ33 RGGTR TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND TSM200N03DPQ33RGGTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
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|---|---|---|
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