| Número de pieza | TSM180N03PQ33 RGG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 329832 pcs | Ficha de datos | TSM180N03PQ33 RGG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-PDFN (3x3) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 18 mOhm @ 12A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 21W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN | Otros nombres | TSM180N03PQ33 RGGTR TSM180N03PQ33 RGGTR-ND TSM180N03PQ33RGGTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 25A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
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