| Número de pieza | TSM150P03PQ33 RGG | Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 238306 pcs | Ficha de datos | TSM150P03PQ33 RGG.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-PDFN (3x3) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 15 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 27.8W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN | Otros nombres | TSM150P03PQ33 RGGTR TSM150P03PQ33 RGGTR-ND TSM150P03PQ33RGGTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1829pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 29.3nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | P-Channel 30V 36A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
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