TSM085P03CV RGG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descripción del producto

Número de pieza:	TSM085P03CV RGG
Fabricante / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Especificaciones:	TSM085P03CV RGG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	199277 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 199277 pcs

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Especificaciones de TSM085P03CV RGG

Número de pieza	TSM085P03CV RGG	Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción	MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	199277 pcs	Ficha de datos	TSM085P03CV RGG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PDFN (3x3)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	8.5 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)	50W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	TSM085P03CV RGGCT TSM085P03CV RGGCT-ND TSM085P03CVRGGCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3234pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	55nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 64A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	64A (Tc)

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