STWA50N65DM2AG

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STWA50N65DM2AG
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	POWER TRANSISTORS
Especificaciones:
Condición de stock	17303 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17303 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

600 pcs: $1.962

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Especificaciones de STWA50N65DM2AG

Número de pieza	STWA50N65DM2AG	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	POWER TRANSISTORS	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	17303 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	RDS (Max) @Id, Vgs	87 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-247-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	69nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 38A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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