STW54NM65ND

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STW54NM65ND
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Especificaciones:	STW54NM65ND.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	7808 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7808 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

600 pcs: $4.981

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Especificaciones de STW54NM65ND

Número de pieza	STW54NM65ND	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V 59A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	7808 pcs	Ficha de datos	STW54NM65ND.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247-3
Serie	FDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	65 mOhm @ 24.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	350W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	497-12370
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6200pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	188nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 49A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	49A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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