STW36NM60N

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STW36NM60N
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
Especificaciones:	STW36NM60N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4021 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4021 pcs

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Especificaciones de STW36NM60N

Número de pieza	STW36NM60N	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 29A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4021 pcs	Ficha de datos	STW36NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247-3
Serie	MDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	105 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	210W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	497-12369
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2722pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	83.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 29A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)

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