STW30NM60D

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STW30NM60D
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Especificaciones:	STW30NM60D.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	11873 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11873 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

600 pcs: $2.98

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Especificaciones de STW30NM60D

Número de pieza	STW30NM60D	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	11873 pcs	Ficha de datos	STW30NM60D.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247-3
Serie	MDmesh™	RDS (Max) @Id, Vgs	145 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	312W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	497-4426-5
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2520pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	115nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 30A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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