STW23NM50N

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STW23NM50N
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
Especificaciones:	STW23NM50N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	22499 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22499 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

600 pcs: $1.431

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Especificaciones de STW23NM50N

Número de pieza	STW23NM50N	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 500V 17A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	22499 pcs	Ficha de datos	STW23NM50N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247-3
Serie	MDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	125W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Otros nombres	497-10974-5
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V	Descripción detallada	N-Channel 500V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

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Especificaciones

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