STU3LN80K5

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STU3LN80K5
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Especificaciones:	1.STU3LN80K5.pdf 2.STU3LN80K5.pdf 3.STU3LN80K5.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	128308 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 128308 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.429

10 pcs: $0.379

100 pcs: $0.299

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Especificaciones de STU3LN80K5

Número de pieza	STU3LN80K5	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	128308 pcs	Ficha de datos	1.STU3LN80K5.pdf 2.STU3LN80K5.pdf 3.STU3LN80K5.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	IPAK (TO-251)
Serie	MDmesh™ K5	RDS (Max) @Id, Vgs	3.25 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	45W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres	497-17295 STU3LN80K5-ND	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	102pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.63nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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