STSJ100NH3LL

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STSJ100NH3LL
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Especificaciones:	STSJ100NH3LL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	79475 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79475 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.413

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Especificaciones de STSJ100NH3LL

Número de pieza	STSJ100NH3LL	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	79475 pcs	Ficha de datos	STSJ100NH3LL.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOIC-EP
Serie	STripFET™ III	RDS (Max) @Id, Vgs	3.5 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta), 70W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	Otros nombres	497-5785-2 STSJ100NH3LL-ND
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4450pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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