STP8NK100Z

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP8NK100Z
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220
Especificaciones:	STP8NK100Z.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	41315 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 41315 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.627

50 pcs: $1.306

100 pcs: $1.19

500 pcs: $0.964

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Especificaciones de STP8NK100Z

Número de pieza	STP8NK100Z	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	41315 pcs	Ficha de datos	STP8NK100Z.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	SuperMESH™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.85 Ohm @ 3.15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	160W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-5021-5
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	102nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V	Descripción detallada	N-Channel 1000V 6.5A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Tc)

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