STP3NB100

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP3NB100
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220
Especificaciones:	STP3NB100.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	83041 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 83041 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STP3NB100

Número de pieza	STP3NB100	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	83041 pcs	Ficha de datos	STP3NB100.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	PowerMESH™	RDS (Max) @Id, Vgs	6 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-2641-5
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V
Descripción detallada	N-Channel 1000V 3A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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