STP19NB20

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP19NB20
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Especificaciones:	STP19NB20.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	92487 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 92487 pcs

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Especificaciones de STP19NB20

Número de pieza	STP19NB20	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 200V 19A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	92487 pcs	Ficha de datos	STP19NB20.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	PowerMESH™	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 9.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	125W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-2650-5
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	40nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	200V
Descripción detallada	N-Channel 200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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