STP18N60DM2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP18N60DM2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 12A
Especificaciones:	STP18N60DM2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	72827 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72827 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.052

50 pcs: $0.85

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Especificaciones de STP18N60DM2

Número de pieza	STP18N60DM2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	72827 pcs	Ficha de datos	STP18N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	MDmesh™ DM2	RDS (Max) @Id, Vgs	295 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	90W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-16338-5
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
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