STP120NF10

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP120NF10
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
Especificaciones:	STP120NF10.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	49358 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49358 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.375

50 pcs: $1.107

100 pcs: $1.008

500 pcs: $0.816

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Especificaciones de STP120NF10

Número de pieza	STP120NF10	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 100V 110A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	49358 pcs	Ficha de datos	STP120NF10.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	STripFET™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	10.5 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)	312W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-4118-5
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	233nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 110A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)

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