STP11N65M2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP11N65M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
Especificaciones:	STP11N65M2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	100292 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 100292 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STP11N65M2

Número de pieza	STP11N65M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	100292 pcs	Ficha de datos	STP11N65M2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	MDmesh™ II Plus	RDS (Max) @Id, Vgs	670 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	85W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-15039-5
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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