STLD200N4F6AG

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STLD200N4F6AG
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Especificaciones:	STLD200N4F6AG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	75066 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75066 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.484

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Especificaciones de STLD200N4F6AG

Número de pieza	STLD200N4F6AG	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	75066 pcs	Ficha de datos	STLD200N4F6AG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6	RDS (Max) @Id, Vgs	1.5 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)	158W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	497-17148-2
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	172nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	N-Channel 40V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

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Especificaciones

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