STL4P2UH7

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STL4P2UH7
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
Especificaciones:	STL4P2UH7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	292254 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 292254 pcs

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Especificaciones de STL4P2UH7

Número de pieza	STL4P2UH7	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	292254 pcs	Ficha de datos	STL4P2UH7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerFlat™ (2x2)
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	RDS (Max) @Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-PowerWDFN	Otros nombres	497-14996-1
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.8nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

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