STL26NM60N

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STL26NM60N
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
Especificaciones:	STL26NM60N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	27951 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27951 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $1.203

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Especificaciones de STL26NM60N

Número de pieza	STL26NM60N	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	27951 pcs	Ficha de datos	STL26NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerFlat™ (8x8) HV
Serie	MDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	185 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	125mW (Ta), 3W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	497-11207-2
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	60nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.7A (Ta), 19A (Tc)

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