STL110N10F7

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STL110N10F7
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
Especificaciones:	STL110N10F7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	64935 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64935 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.181

10 pcs: $1.068

100 pcs: $0.858

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Especificaciones de STL110N10F7

Número de pieza	STL110N10F7	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	64935 pcs	Ficha de datos	STL110N10F7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerFlat™ (5x6)
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	RDS (Max) @Id, Vgs	6 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	136W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerVDFN	Otros nombres	497-13877-1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5117pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	72nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 107A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	107A (Tc)

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Especificaciones

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