STI400N4F6

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STI400N4F6
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Especificaciones:	STI400N4F6.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	33378 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33378 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.228

10 pcs: $1.989

100 pcs: $1.631

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Especificaciones de STI400N4F6

Número de pieza	STI400N4F6	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	33378 pcs	Ficha de datos	STI400N4F6.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK (TO-262)
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI	RDS (Max) @Id, Vgs	1.7 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Otros nombres	497-14566-5 STI400N4F6-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	377nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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