STI14NM65N

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STI14NM65N
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Especificaciones:	STI14NM65N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	30853 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30853 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STI14NM65N

Número de pieza	STI14NM65N	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	30853 pcs	Ficha de datos	STI14NM65N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK
Serie	MDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	125W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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