STI11NM60ND

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STI11NM60ND
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Especificaciones:	STI11NM60ND.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	51473 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51473 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $0.727

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Especificaciones de STI11NM60ND

Número de pieza	STI11NM60ND	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	51473 pcs	Ficha de datos	STI11NM60ND.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAK
Serie	FDmesh™ II	RDS (Max) @Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	90W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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