STH410N4F7-2AG

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STH410N4F7-2AG
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
Especificaciones:	STH410N4F7-2AG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	34686 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 34686 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1000 pcs: $1.022

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Especificaciones de STH410N4F7-2AG

Número de pieza	STH410N4F7-2AG	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 40V H2PAK-2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	34686 pcs	Ficha de datos	STH410N4F7-2AG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	H2Pak-2
Serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7	RDS (Max) @Id, Vgs	1.1 mOhm @ 90A, 10V
La disipación de energía (máximo)	365W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	497-16421-2 STH410N4F7-2AG-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	141nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	N-Channel 40V 200A (Tc) 365W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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