STFI5N80K5

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STFI5N80K5
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5882 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5882 pcs

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Especificaciones de STFI5N80K5

Número de pieza	STFI5N80K5	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5882 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I2PAKFP (TO-281)
Serie	MDmesh™ K5	RDS (Max) @Id, Vgs	1.75 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	20W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Full Pack, I²Pak	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	177pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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