STF7N60DM2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STF7N60DM2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET
Especificaciones:	STF7N60DM2.pdf
Condición de stock	96823 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 96823 pcs

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Especificaciones de STF7N60DM2

Número de pieza	STF7N60DM2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	96823 pcs	Ficha de datos	STF7N60DM2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.75V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220FP
Serie	MDmesh™ DM2	RDS (Max) @Id, Vgs	900 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	25W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)

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