STD3NM60T4

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STD3NM60T4
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
Especificaciones:	STD3NM60T4.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	43008 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43008 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STD3NM60T4

Número de pieza	STD3NM60T4	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V 3A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	43008 pcs	Ficha de datos	STD3NM60T4.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DPAK
Serie	MDmesh™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	42W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	497-3161-1
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount DPAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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